Tonelero de radiación de cerámica Sputtering System/equipo de cerámica de Chips Directly Plating Copper Sputtering
Planta de Magnetron Sputtering Coating del tonelero en el substrato de cerámica de la radiación
El cobre que platea directo del proceso del DPC es una tecnología de capa avanzada aplicada con el LED/el semiconductor/industrias electrónicas. Un uso típico es de cerámica irradiando el substrato.
Deposición conductora de la película del tonelero en Al2O3, AlN, Si, substratos de cristal por la tecnología de la farfulla del vacío de PVD, comparada con métodos de fabricación tradicionales: DBC LTCC HTCC, las características:
1. Un coste de producción mucho más bajo.
2. Funcionamiento termal excepcional de la gestión y de la transferencia de calor
3. Diseño exacto de la alineación y del modelo,
4. Alta densidad del circuito
5. Buenos adherencia y solderability
El equipo real de la tecnología ayudó a nuestro cliente a convertido el proceso del DPC con éxito con tecnología de la farfulla de PVD.
Debido a su funcionamiento avanzado, los substratos del DPC son ampliamente utilizados en diversos usos:
Alto brillo LED para aumentar el tiempo de la larga vida debido a su alto funcionamiento de la radiación térmica, equipo del semiconductor, comunicación inalámbrica de la microonda, electrónica militar, diversos substratos del sensor, espacio aéreo, transporte ferroviario, poder de la electricidad, etc
El equipo de RTAC1215-SP se diseña exclusivamente para el proceso del DPC que consiguen la capa del tonelero en los substratos. Este equipo utiliza principio físico de la deposición de vapor de PVD, con técnicas de la farfulla de la galjanoplastia y del magnetrón del ion del multi-arco para obtener la película ideal con alta densidad, alta resistencia de abrasión, alta dureza y el atascamiento fuerte en el ambiente del alto vacío. Es el paso crucial para el proceso del DPC del resto.
Características dominantes de cobre de la máquina de capa de la farfulla
1. Equipado de 8 cátodos del arco del buey y de cátodos de la farfulla de DC, cátodos de la farfulla de la frecuencia intermedia, unidad de la fuente de ion.
2. Capa de múltiples capas y de la co-deposición disponible
3. Fuente de ion para que tratamiento previo de la limpieza del plasma y deposición ayudada haz iónico aumenten la adherencia de la película.
4. De Al2O3/AlN de los substratos de la calefacción unidad de cerámica para arriba;
5. Sistema de la rotación y de la revolución del substrato, para 1 capa lateral y la capa de 2 lados.
Especificaciones de cobre de la máquina de capa de la farfulla
Funcionamiento
1. Última presión del vacío: mejor que los torres 5.0×10-6.
2. Presión de funcionamiento del vacío: Torres 1.0×10-4.
3. Tiempo de Pumpingdown: a partir de 1 atmósfera a 1.0×10-4 Torr≤ 3 cámaras de los minutos (temperatura ambiente, seco, limpio y vacío)
4. Metalización del material (que farfulla + evaporación del arco): Ni, Cu, AG, Au, Ti, Zr, Cr etc.
5. Modelo de funcionamiento: Por completo automáticamente /Semi-Auto/ manualmente
Estructura
La máquina de la vacuometalización contiene terminado el sistema dominante enumerado abajo:
1. Cámara de vacío
2. Sistema de bombeo de vacío de Rouhging (paquete de la bomba del forro)
3. Sistema de bombeo de alto vacío (magnético bomba molecular de la suspensión)
4. Sistema eléctrico del control y de la operación
5. Sistema de la instalación de Auxiliarry (subsistema)
6. Sistema de la deposición
Al2O3, substratos de AlN con las muestras del cobrizado
Éntrenos en contacto con por favor para más especificaciones, tecnología real se honra para proporcionarle soluciones de capa totales.
