Substrato radiante de cerámica Cooper Magnetrón Planta de recubrimiento por pulverización catódica / Microprocesadores de cerámica Recubrimiento directo del equipo de pulverización catódica de cobre
Planta de recubrimiento por pulverización catódica de magnetrón de Cooper sobre sustrato radiante de cerámica
El proceso DPC: Direct Plating Copper es una tecnología de recubrimiento avanzada que se aplica a las industrias de LED, semiconductores y electrónica.Una aplicación típica es el sustrato radiante de cerámica.
Deposición de película conductora de cobre sobre sustratos de Al2O3, AlN, Si, vidrio mediante tecnología de pulverización catódica al vacío de PVD, en comparación con los métodos de fabricación tradicionales: DBC LTCC HTCC, las características:
1. Costo de producción mucho más bajo.
2. Excelente rendimiento de transferencia de calor y gestión térmica
3. Alineación precisa y diseño de patrones,
4. Alta densidad de circuitos
5. Buena adherencia y soldabilidad
El equipo de tecnología real ayudó a nuestro cliente a desarrollar el proceso DPC con éxito con la tecnología de pulverización catódica PVD.
Debido a su desempeño avanzado, los sustratos DPC son ampliamente utilizados en diversas aplicaciones:
LED de alto brillo para aumentar la vida útil debido a su altoRadiación de calorRendimiento, equipo de semiconductores, comunicación inalámbrica por microondas, electrónica militar, varios sustratos de sensores, aeroespacial, transporte ferroviario, energía eléctrica, etc.
El equipo RTAC1215-SP está diseñado exclusivamente para el proceso DPC que obtiene la capa de cobre en los sustratos.Este equipo utiliza el principio de deposición física de vapor de PVD, con técnicas de pulverización iónica multiarco y magnetrón para obtener la película ideal con alta densidad, alta resistencia a la abrasión, alta dureza y fuerte unión en un entorno de alto vacío.Es el paso crucial para el resto del proceso DPC.
Características clave de la máquina de recubrimiento por pulverización catódica de cobre
1. Equipado con 8 cátodos de arco de dirección y cátodos de pulverización de CC, cátodos de pulverización de MF, unidad de fuente de iones.
2. Revestimiento multicapa y codeposición disponible
3. Fuente de iones para pretratamiento de limpieza con plasma y deposición asistida por haz de iones para mejorar la adhesión de la película.
4. Unidad de calentamiento de sustratos de cerámica/Al2O3/AlN;
5. Sistema de rotación y revolución de sustrato, para recubrimiento de 1 cara y recubrimiento de 2 caras.
Especificaciones de la máquina de recubrimiento por pulverización de cobre
Actuación
1. Presión máxima de vacío: mejor que 5,0 × 10-6Torr.
2. Presión de vacío de funcionamiento: 1,0 × 10-4Torr.
3. Tiempo de bombeo: de 1 atm a 1,0×10-4Torr≤ 3 minutos (temperatura ambiente, cámara seca, limpia y vacía)
4. Material de metalización (pulverización + evaporación por arco): Ni, Cu, Ag, Au, Ti, Zr, Cr, etc.
5. Modelo operativo: completamente automático/semiautomático/manualmente
Estructura
La máquina de recubrimiento al vacío contiene el sistema completo clave que se detalla a continuación:
1. Cámara de vacío
2. Sistema de bombeo de vacío Rouhging (paquete de bomba de respaldo)
3. Sistema de bombeo de alto vacío (bomba molecular de suspensión magnética)
4. Sistema de operación y control eléctrico
5. Sistema de instalaciones auxiliares (subsistema)
6. Sistema de Deposición
Muestras
Comuníquese con nosotros para obtener más especificaciones, Royal Technology tiene el honor de brindarle soluciones de recubrimiento total.
