PWB de cerámica de (Al2O3) del óxido del PWB/del alúmina del DPC, cobrizado (AIN) del PWB del nitruro de aluminio por PVD
El cobre de galjanoplastia directo del proceso del DPC es una tecnología avanzada de la capa aplicada con LED, semiconductor, industrias electrónicas. Un uso típico es de cerámica irradiando el substrato. La deposición conductora de la película del tonelero en el óxido de aluminio (Al2O3), substratos de AlN por PVD limpia la tecnología de la farfulla con la aspiradora, comparada con métodos de fabricación tradicionales: DBC LTCC HTCC, un coste de producción mucho más bajo es su alta característica.
El equipo real de la tecnología colaboró con nuestro cliente desarrolló el proceso del DPC con éxito con tecnología de la farfulla de PVD.
Usos del DPC:
HBLED
Substratos para las células solares del concentrador
Semiconductor del poder que empaqueta incluyendo control de motor automotriz
Electrónica de la gestión del poder del automóvil híbrido y eléctrico
Paquetes para el RF
Dispositivos de la microonda
Ventajas técnicas:
El sistema de la farfulla de DPCS1215+ es versión actualizada basada en el modelo original ASC1215, el más nuevo sistema tiene varias ventajas:
Un proceso eficiente más alto:
1. La capa doble de los lados está disponible por diseño del accesorio del volumen de ventas;
2. el cátodo planar estándar hasta 8 ensancha para la fuente múltiple.
3. capacidad grande hasta 2,2 microprocesadores de cerámica del ㎡ por ciclo;
4. completamente automatización, pantalla de PLC+Touch, sistema de control One-Touch.
Baje el coste de producción:
1. equipado de la bomba molecular de la suspensión magnética 2, hora de salida rápida, mantenimiento libre;
2. poder de la calefacción del máximo;
3. forma octagonal de la cámara para el espacio óptimo usando, hasta 8 fuentes del arco y 4 cátodos de la farfulla para la deposición rápida de capas;
Funcionamiento
1. Última presión del vacío: mejore que los torres 5.0×10-6.
2. Presión de funcionamiento del vacío: Torres 1.0×10-4.
3. Tiempo de Pumpingdown: a partir de 1 atmósfera a 1.0×10-4 Torr≤ 3 minutos (la temperatura ambiente, seca, limpia y vacia la cámara)
4. Metalización del material (que farfulla + evaporación del arco): Ni, Cu, AG, Au, Ti, Zr, Cr etc.
5. Modelo de funcionamiento: Automáticamente /Semi-Auto/ lleno manualmente
| Descripción | DPC1215+ |
| Altura de la cámara (milímetro) | 1500 |
| Altura de la anchura x de la puerta (milímetro) | 1200 x 1200 |
| Reborde de montaje de los cátodos de la farfulla | 4 |
| Reborde de montaje de la fuente de ion | 1 |
| Reborde de montaje de los cátodos del arco | 8 |
| Satélites (milímetro) | 16 x Φ120 |
| Poder diagonal pulsado (kilovatio) | 36 |
| Poder de la farfulla (kilovatio) | DC36 + MF36 |
| Poder del arco (kilovatio) | 8 x 5 |
| Poder de la fuente de ion (kilovatio) | 5 |
| Poder de la calefacción (kilovatio) | 18 |
| Altura eficaz de la capa (milímetro) | 1020 |
| Bomba molecular de la suspensión magnética | 2 x 3300 L/S |
| Bomba de las raíces | ³ /h de 1 del x 1000m |
| Bomba de paleta rotatoria | ³ /h de 1 de los x 300m |
| Sostener la bomba |
³ /h de 1 de los x 60m
|
| Capacidad | ㎡ 2,2 |
Disposición
ejemplo del diseño 3D
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